Водопьянов Александр Валентинович
Заведующий отделом физики плазмы 120, д.ф.-м.н.
Образование:
1993-1999 Факультет Высшая школа общей и прикладной физики ННГУ, степень магистра по специальности «Физик»
1999-2003 Институт прикладной физики РАН, аспирантура по специальности «Физика плазмы»
25.12.2005 Защита кандидатской диссертации по специальности 01.04.08 – «физика плазмы», тема «Физические особенности работы сильноточных источников многозарядных ионов на основе ЭЦР разряда», рук. С.В. Голубев
Область научных интересов:
Приложения ТГц, СВЧ и ВЧ разрядов:
Источники атомарного азота для
Источники многозарядных ионов
Источник экстремального ультрафиолетового излучения
Исследование роста нитридных полупроводниковых материалов методом металлорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота
Ионосферная и космическая плазма, лабораторное моделирование процессов при взаимодействии волна-частица
Исследование устойчивости плазмы в магнитных ловушках
Исследование нагрева плазмы в магнитных ловушках
Профессиональная карьера:
2013 - по наст. время.
Институт прикладной физики РАН. Отделение ФП и ЭБМ. Отдел физики плазмы. Лаборатория прикладной физики плазмы.
Должность: заведующий лабораторией
2008-2013
Институт прикладной физики РАН. Отделение ФП и ЭБМ. Отдел физики плазмы. Лаборатория прикладной физики плазмы.
Должность: старший научный сотрудник
2005-2008
Институт прикладной физики РАН. Отделение ФП и ЭБМ. Отдел физики плазмы. Лаборатория прикладной физики плазмы.
Должность: научный сотрудник
1999 – 2005
Институт прикладной физики РАН. Отделение ФП и ЭБМ. Отдел физики плазмы. Лаборатория прикладной физики плазмы.
Должность: младший научный сотрудник, аспирант
1997 – 1999 ст. лаборант-исследователь
Награды, премии, гранты:
Медаль Российской академии наук с премией для молодых ученых. 2006 г.
Педагогическая деятельность:
2007 – настоящее время
Доцент Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского
Количество публикаций:
Статьи в рецензируемых изданиях – 51
Наиболее значительные работы и результаты:
За счет использования метода металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота в электронно-циклотронном резонансном разряде, создаваемым с помощью излучения гиротрона (частота 24 ГГц, мощность до 5 кВт) удалось существенно понизить температуру (до 350°С) выращивания монокристалических пленок нитрида индия при рекордной (~1 мкм/час) скорости роста. Низкая температура роста в сочетании с высокой скоростью роста высококачественных монокристаллических пленок нитрида индия открывает перспективы широкого внедрения данного метода для производства высокоэффективных светодиодов и светодиодных лазеров.
Разработан источник жесткого (экстремального) ультрафиолетового излучения на основе разряда низкого давления, поддерживаемого в магнитной ловушке мощным электромагнитным излучением миллиметрового диапазона длин волн в условиях электронно-циклотронного резонанса. В таком разряде эффективно образуются и возбуждаются многозарядные ионы (использовались ионы олова, инжектируемые в ловушку из вакуумно-дугового разряда), линейчатое излучение которых лежит в требуемом диапазоне длин волн. В экспериментах мощность линейчатого излучения с длиной волны 13,5 нм в полосе ± 1% достигала 50 Вт, с к.п.д. преобразования поглощенного в плазме СВЧ излучения в экстремальный ультрафиолет на уровне 1%.
Разработана одностадийная технология плазмохимического осаждения тонких (толщиной несколько микрон) слоев кремния из его тетрафторида, обеспечивающая минимальное изотопное разбавление. Технология основана на использовании сильнонеравновесного разряда, поддерживаемого в магнитной ловушке излучением миллиметрового диапазона длин волн в условиях электронно-циклотронного резонанса.
Получены слои микрокристаллического кремния на молибдене и изотопно-обогащенном монокристаллическом кремнии с рекордным изотопным обогащением по изотопу 28Si - 0.999986±0.000003 и изотопным разбавлением менее 10-5.
