Cотрудники института

Мальшакова Ольга Анатольевна
научный сотрудник отдела 390

Образование:
1999 г. - окончила радиофизический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, магистр физики

Область научных интересов:
Нелинейная оптика. Нелинейно оптические кристаллы типа KDP (рост, оптическая обработка, оптические исследования кристаллов).

Профессиональная карьера:
1997 г. - наст. время - ИПФ РАН, старший лаборант-исследователь, м.н.с., н.с.

Количество публикаций:
29

Наиболее значительные работы и результаты:

V.I. Bredikhin, O.A. Malshakova and A.D. Yunakovsky, Traveling waves of step density and solution supersaturation in the assigned diffusion layer thickness model of step bunching, J. оf Crystal Growth, 312 (2010) pp. 1443-1448.

Step bunching in crystal growth from solutions is investigated theoretically in the approximation of nonstationary mass transfer in a diffusion layer of assigned thickness. It is shown that this model is described by a set of equations including a diffusion equation for a diffusion layer, a one-dimensional step motion equation, the boundary conditions relating these equations, and the boundary condition at the diffusion layer boundary. This set of equations has solutions in the form of coupled traveling periodical and soliton-like waves of density steps n and relative supersaturation σ on the growing surface and in volume of the diffusion layer. The parameters obtained for traveling n and σ agree with experimental data on step bunches in KDP crystal growth.

V.I. Bredikhin, G.L. Galushkina, A.A. Kulagin, S.P. Kuznetsov, O.A. Malshakova, Competing growth centers and step bunching in KDP crystal growth from solutions, Journal of Crystal Growth, 259 (2003), 3 , 309-320.

We present results of optical investigations of the {1 0 0} and {1 0 1} faces of KDP. A technique based on the optical Schlieren method is developed to in situ investigate the growing crystal morphology under real conditions of rapid profiled growth. It is shown that the structure of growth centers on the growing surface essentially depends on the growth conditions, which provides additional possibilities of the crystal quality control. Some experimental results on step bunches are interpreted in terms of the “density shock wave” model.

Бредихин В.И., Гаврищук Е.М., Иконников В.Б., Караксина Э.В., Кеткова Л.А., Кузнецов С.П., Мальшакова О.А., Оптические потери в поликристаллическом  ZnS, полученном CVD-методом, Неорганические материалы, 2009, Т. 45. № 3. С. 276-282.

Обсуждены причины ограниченного пропускания в видимой и в ближней ИК-области спектра поликристаллического сульфида цинка, полученного методом химического осаждения из газовой фазы (CVD). Исследованы индикатрисы рассеяния, деполяризация прошедшего света, спектры пропускания в диапазоне длин волн 0.4–4 мкм. Сравнение экспериментальных результатов с теорией позволяет сделать вывод о том, что значимым источником оптических потерь в ZnS-CVD является рассеяние на субмикронных ограненных включениях с показателем преломления ~1 (поры). В предположении определяющей роли данных дефектов в оптических потерях материала оценены концентрация и распределение пор по размерам в исходных образцах ZnS-CVD и в образцах, прошедших высокотемпературное газостатическое прессование (ZnS-CVD-HIP).